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具有介面层之三五族半导体

2025-06-18 15:082480下载
文件类型：PDF文档
文件大小：1313K
本发明揭示一种半导体结构，其包括：a.一基板，其包括一III-V材料，及b.一高k介面层，其覆叠该基板，其中该介面层包括一稀土铝酸盐；一种包括该半导体结构之n型FET装置；及一种制造该半导体结构之方法


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