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经由单晶稀土族氮化物及稀土族氧化物缓冲层磊晶形成於矽上之第III族半导体

2026-04-06 05:091240下载
文件类型：PDF文档
文件大小：5386K
本揭露描述於矽＜110＞及矽＜100＞上形成第III-V族半导体材料之层结构各种缓冲层及介面减少第III-V族半导体材料与矽＜110＞或矽＜100＞之间的晶格应变，以允许高质量第III-V族半导体材料的磊晶形成


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