用於磊晶III-V层之缓冲的磊晶金属氧化物之层结构

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本文描述了用于生长外延金属氧化物作为外延III-V层的缓冲层的系统和方法。 一种层结构包括基底层和外延生长在基底层上的第一稀土氧化物层。 第一稀土氧化物层包括第一稀土元素和氧，并且具有方镁石晶体结构。 该层结构还包括直接外延生长在第一稀土氧化物层上的金属氧化物层。 金属氧化物层包括选自III族和氧的第一阳离子元素，并且具有BixByite晶体结构。