一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法及低成本稀土晶体的生长工艺

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本发明提供了一种用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，包括以下步骤，首先推算稀土晶体生长过程中，晶体生长空间内的温度梯度值；所述温度梯度值包括轴向温度梯度和径向温度梯度；然后根据上述步骤得到的温度梯度值、保温材料的热导率以及保温材料的外形结构，经计算后，得到用于稀土晶体生长工艺的温度场结构。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了用于稀土晶体生长工艺的温度场结构的设计方法，利用晶体生长过程中的传热方程计算理论温度梯度，结合实际生长中的温度梯度，设计并固定不同的温度场结构，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。