半导体陶瓷组合物以及PTC热敏电阻

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本发明的目的在于提供一种使居里点移向高于120℃的高温侧，25℃电阻率小而且耐电压以及机械强度优异的半导体陶瓷组合物、以及PTC热敏电阻。本发明所涉的半导体陶瓷组合物的特征为：在BaTiO3类的半导体陶瓷组合物中，Ba的一部分至少被A(选自Na或K中的至少一种)、Bi以及RE(选自含有Y的稀土元素中的至少一种)取代，并且Ti的一部分至少被TM(选自V、Nb以及Ta中的至少一种)取代，在将(Ti含量+TM含量)设定为1mol时，满足0.7≤[(Bi含量)/(A含量)]≤1.43；0.017≤[(Bi含量)+(A含量)]≤0.25；0＜(RE含量+TM含量)≤0.01，并且在晶体粒径为1.1～4.0μm的范围内具有粒径分布的最大峰值，该峰值的分布频率为20％以上。