传感器半导体芯片用铜合金材料

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传感器半导体芯片用铜合金材料，主要包括铜元素，还包括镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素，所述镍、镉、锌、贵金属元素和稀土金属元素在铜合金中所占的重量百分比分别为：镍0.2%~0.6%，镉0.1%~0.3%，锌1.1%~2.2%，贵金属元素0.02%~0.05%，稀土金属元素0.03%~0.04%。本发明公开的铜合金材料用来封装传感器半导体芯片时，能够具有较佳的常温与高温抗氧化功效，用本发明铜合金封装的传感器半导体芯片，不仅可降低半导体芯片热膨胀系数，有助改善热疲劳可靠度，减少结合界面剥离的现象发生外，亦能降低金属间化合物层厚度，进而提高界面可靠度。