静电吸盘及其制造方法

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本发明公开了一种静电吸盘及其制造方法，所述静电吸盘具有高体积电阻率以降低漏电流，从而改善半导体晶片的吸附和解吸响应特性。所述静电吸盘是烧结体，在所述烧结体中浸有电极以通过静电力固定半导体晶片，并且所述静电吸盘包括氧化铝、烧结助剂和包含2至5种不同的稀土金属的稀土复合氧化物，具有2秒以下的半导体晶片的吸附和解吸响应特性，并且室温下的体积电阻率为1.0×1016Ω·cm至1.0×1017Ω·cm。