真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其制备方法

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本发明涉及一种真空热压烧结法制备的氮化铝陶瓷基片及其制备方法，以质量份数计，原料配比为：氮化铝：稀土氧化物：其他金属氧化物＝80 100：0 20：0 10。本发明提高了氮化铝基片的抗弯强度、致密度、导热性能、显微结构的均匀性，大大提高了基片的使用性能、使用稳定性、使用寿命，本方法制备的氮化铝基片相对于氧化铝基片以及其他方法制备的氮化铝基片具有明显的高热导率和长的使用寿命，可应用于高端精密设备。满足大功率集成电路对封装用基片的要求，在国防、航空航天、通讯、微电子领域内应用前景十分广阔。