一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的陶瓷及其制备方法

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一种高电压梯度、低残压、低泄露电流的陶瓷及其制备方法，其特征在于，配方成分包括氧化锌ZnO、氧化铋Bi2O3、三氧化二锑Sb2O3、二氧化锰MnO2、氧化铬Cr2O3、三氧化二钴Co2O3、二氧化硅SiO2、硝酸铝Al(NO3)3、硝酸铟In(NO3)3。其有益效果是：降低了晶粒电阻，降低了大电流区的残压，In离子的存在，使得间隙锌离子的数量下降，提高了ZnO压敏电阻陶瓷的老化稳定性能，与单纯添加Al离子相比，泄漏电流也得到有效抑制。添加的稀土元素Y在液相烧结的过程中，有效抑制了ZnO晶粒的生长，促使拐点电压U1mA得以显著提高；在V I特性曲线上，反转区右移，提高了本配方制备的ZnO压敏电阻泄放电流的能力。