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本发明的晶体硅材料包括硅、镓及镧系稀土元素X，所述镧系稀土元素X的浓度为1010～1016原子每立方厘米。利用如上所述的晶体硅制造的太阳能电池，对电学性能有帮助。本发明还提供如上所述的晶体硅的制备方法。本发明的晶体硅材料掺杂镓以减少光衰、并利用硼元素调节电阻率分布，提高产率及品质。并且，掺杂的镧系稀土元素X通过下转换作用，能够有效的提高硅材料对紫外波段光的利用率，利用该晶体制得的太阳能电池显著提高了转换效率。