半导体装置

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本发明实施例描述一种电晶体装置和制造方法。装置包含：闸极结构具有闸极层和铁电层；源极端子和汲极端子；以及结晶通道部分。源极端子和汲极端子安置在闸极结构的相对侧处。结晶通道部分在源极端子与汲极端子之间延伸。源极端子和汲极端子安置在结晶通道部分上且闸极结构安置在结晶通道部分上。结晶通道部分包含含有第族元素和第族元素的第一材料闸极层包含含有第族元素和稀土元素的第二材料且铁电层包含含有第族元素、稀土元素以及第族元素的第三材料。