单晶立方倍半氧化物的制备方法和用途

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本发明涉及通过高温助熔剂生长技术制备任选掺杂有+III价镧系元素离子的钪、钇或稀土元素的立方倍半氧化物的块状或薄膜单晶(空间群No.206，Ia 3)的方法，以及根据该方法获得的没有掺杂的单晶的应用，特别是在光学领域中。