一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺

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本发明公开了一种半导体用超高纯氯化氢气体的制备装置及其工艺，以工业产品气体为原料，采用高分子渗透膜、金属阳离子交换树脂、稀土金属化合物脱水与高压精馏的结合，可将组分中CO2杂质脱除至0.1ppm以下、金属离子含量脱除至10ppt以下；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。