一种硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法

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本发明公开了一种可应用于可见‑近红外光区的具有高费尔德常数的硅酸镧铽磁光晶体及其制备方法。所述磁光晶体的化学式为Tb10‑xLax(SiO4)6O3，其中x＝0.5～1。该晶体属六方晶系，空间群为。本发明制得的磁光晶体在可见‑近红外波段具有较好的透光性能，同时，具有较高的磁性稀土离子含量和较强的晶体场作用，故有利于产生较好的磁光性能，其费尔德常数(Verdet constant)远高于目前商品化应用的掺铽玻璃及铽镓石榴石(TGG)晶体。此外，该磁光晶体为一致熔融化合物，生长温度为1960～2050℃，可采用中频感应提拉法生长，工艺简单、周期短，能够实现大规模低成本的批量生产。