碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件

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本发明涉及一种碳化硅陶瓷及其制备方法和半导体零件。上述碳化硅陶瓷的制备方法包括如下步骤：将碳化硅微粉、金属元素的氯化物、环氧丙烷、第一分散剂及第一溶剂混合并在真空条件、700℃～900℃下进行加热处理，得到预处理颗粒，其中，金属元素为稀土元素或锶元素；将预处理颗粒与第二分散剂、粘结剂、第二溶剂和第一碳源混合并造粒，得到造粒粉；将造粒粉成型，得到第一预制坯；将第一预制坯与第二碳源加热混合，使第二碳源呈液态，然后加压至3MPa～7MPa，得到第二预制坯；将第二预制坯和硅粉进行反应烧结，得到碳化硅陶瓷。上述碳化硅陶瓷的制备方法能够得到力学性能较好的碳化硅陶瓷。