一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法

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一种Ni-Cr磁控溅射靶材的制备方法，其靶材成分为80wt.%Ni和20wt.%Cr，通过真空熔炼、浇注、热锻、轧制、退火、机加工等工序制备，采用的原料是纯度为99.96%的电解镍，纯度为99.09%的金属铬，及少量稀土，其中稀土的组成为34.1wt.%La、65.74wt%Ce和少量杂质，通过在熔炼过程中添加0.05~0.4wt.%的稀土元素，并改变锻造形变量和轧制形变量(47.4~80.0%)，获得致密度高、晶粒尺寸可在不大于80μm范围内调节且大小分布均匀的高质量Ni-Cr靶。使用本发明制备的Ni-Cr靶材，能有效提高Ni-Cr薄膜的质量以及薄膜沉积速率，该靶材可用于制作薄膜电阻、薄膜电阻应变计、太阳能光谱选择性吸收膜、低辐射镀膜玻璃等，其产品可广泛的应用于电子、能源、建筑等工业领域。