一种R-T-B磁体材料及其制备方法和应用

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本发明公开了一种R‑T‑B磁体材料及其制备方法和应用。该R‑T‑B磁体材料的制备方法包括以下步骤：将R‑T‑B磁体材料的烧结体，在气体氛围中经氢气活化处理，再进行晶界扩散即可；气体氛围包括惰性气体和氢气的混合气体；氢气活化处理的温度为100～300℃，时间在10min以上；氢气质量体积浓度与烧结体的质量体积浓度的比值为0.01～0.1％；氢气与惰性气体的体积比为0.1～5％。本发明的R‑T‑B磁体材料的耐高温抗退磁性能、矫顽力均较佳；在熔炼时可不加重稀土元素或大量的钴元素，成本较低；可不进行晶粒细化，生产难度小；可得取向方向的长在1mm以内的R‑T‑B磁体材料且磁性能较佳的磁体材料。