一种压敏陶瓷电阻

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本发明涉及一种压敏陶瓷电阻，特别是一种采用传统陶瓷工艺即在800℃烧结的压敏陶瓷电阻，属于电子元件领域。本发明通过同时掺杂0.25%~2.0%摩尔氧化钒和0.2%~0.7%摩尔氧化钛来确保其低温烧结特性，在此基础上继续通过添加碳酸锰或氧化锰、氧化钴氧化铌及氧化铋等来确保其优异压敏特性的压敏电阻。采用传统氧化物陶瓷工艺制备时，其陶瓷体可在800℃左右烧结，最高的非线性系数最高可达40以上，其漏电流为0.3mA/cm2左右，压敏电压为300~2000V/mm。本发明无需添加稀土氧化物，制备工艺简单，性能优良，是低成本压敏电阻及片式压敏电阻的优良候选材料。