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氧化物薄膜用溅镀靶及其制造方法

2025-06-18 20:441740下载
文件类型：PDF文档
文件大小：5333K
本发明提供一种溅射靶，其能够抑制通过溅射法形成氧化物半导体膜时的异常放电的发生，并且能够连续且稳定地形成膜。 本发明还提供一种溅射靶用氧化物，其具有稀土类氧化物C型晶体结构，且表面无白斑(在溅射靶表面形成的凹凸等外观不良)。 本发明还公开了一种氧化物烧结体，其具有方镁石结构并且包含氧化铟，氧化镓和氧化锌。 铟(In)，镓(Ga)和锌(Zn)的组成量(原子%)在满足下式的组成范围内 : In/(In+Ga+Zn)<0.75


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