单能量或多能量垂直辐射敏感探测器

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一种垂直辐射敏感探测器阵列(114)，包括至少一个探测器叶(118)。所述探测器叶包括闪烁体阵列(210、502、807、907)和光传感器电路板(200、803、903)，所述闪烁体阵列至少包括底侧(218)、后侧(214)和接收辐射的顶侧(212)，所述光传感器电路板(200、803、903)包括光耦合到所述闪烁体阵列的所述后侧的光敏感区域(202、508、803、903)。所述探测器叶还包括：设置在所述闪烁体阵列之下的处理电子设备(406)；电学地耦合所述光敏感区域与所述处理电子设备的柔性电路板(220)；以及辐射屏蔽(236)，其被设置在所述闪烁体阵列的所述底部之下、所述闪烁体与所述处理电子设备之间，从而屏蔽所述处理电子设备免受穿过所述闪烁体阵列的残余辐射。一些实施例包括诸如SrI2(Eu)的稀土金属碘化物。