半导体器件及其制造方法

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本公开涉及半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上，形成包含间层、HfON膜和HfSiON膜的栅极绝缘膜。然后，在HfSiON膜上，形成含Al膜和掩模层。随后，从n沟道MISFET形成区选择性去除掩模层和含Al膜。然后，在n沟道MISFET形成区中的HfSiON膜上形成含稀土元素膜。进行热处理以在n沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含稀土元素膜之间的反应并在p沟道MISFET形成区中导致HfON膜和HfSiON膜中的每一个与含Al膜之间的反应。之后，去除未反应的含稀土元素膜和掩模层，然后形成金属栅电极。