用於半导体制造的石英玻璃组件及其制法

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本发明始於已知之用於半导体制造的石英玻璃组件，该组件至少於接近表面的区域显现第一掺杂物和第二掺杂物之共掺杂，该第二掺杂物含有一或多种浓度各为0.1－3重量%(以SiO2和掺杂物总质量计)的稀土金属。以此为始，在具有蚀刻作用的环境中，提供用於半导体制造的石英玻璃组件，此组件之特点在於高纯度和对於乾蚀的高耐受性及避免已知之因为与氧化铝共掺杂而引发的缺点，根据本发明，建议第一掺杂物应为氮且石英玻璃的介稳羟基平均含量低於30wtppm。