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本发明涉及一种调节氧化物半导体基质中Eu3+发光强度的方法，其特征在于：先制备TiO2溶胶和SiO2溶胶，将TiO2溶胶和SiO2溶胶制成混合溶液，再将稀土Eu3+，加入到上述溶胶中，将玻璃衬底烘干后，浸入制得的Eu3+掺杂的复合氧化物半导体溶胶中，采用垂直提拉镀膜法提拉得到凝胶膜；重复垂直提拉镀膜法直至所需厚度，得到Eu3+掺杂的复合氧化物半导体薄膜。本发明通过选择溶胶体积不同配比调控Eu3+掺杂的氧化物半导体薄膜。通过采用混合两种溶胶的方法，实现了对Eu3+发光强度的调节，为以后实现稀土离子高强度发光薄膜的氧化物半导体器件的制备提供了一种可能。