氧化物半导体及其制造方法

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本发明实施例公开了一类可抑制过剩的本征载流子，且电学稳定性高氧化物半导体。本发明实施例的包括：AlxInyZnz氧化物和微量掺杂物；所述微量掺杂物包括：稀土元素，稀土元素的氧化物，4B族元素，4B族元素氧化物，5B族元素或5B族元素氧化物中的任意一种或两种以上的组合。