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本发明提供一种很适合为显示装置用氧化物半导体膜的成膜所用而兼备有高的导电性及相对密度之氧化物烧结体。本发明之氧化物烧结体,系将氧化锌;及氧化锡;以及选自Al、Hf、Ta、Ti、Nb、Mg、Ga及稀土类元素所成群之至少一种金属(M金属)的氧化物的各种粉末,加以混合并烧结所得之氧化物烧结体,其特徵为:在进行氧化物烧结体之X射线绕射时,虽可测到Zn2SnO4化合物,惟属於尖晶石型化合物之ZnMxOy相及MxOy相(x,y为任意的整数)则不会被检测到者。