文件类型:PDF文档
文件大小:176K
本发明涉及一种陶瓷材料技术领域,具体是一种氧化钬氧化铒作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅(Si3N4)陶瓷的方法。其组分及质量百分比含量为:氧化钬3%~7%,氧化铒5%~8%,氮化硅85%~92%。目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化钬氧化铒作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法,可广泛用于化工、机械、冶金、航空航天等领域的零部件制备。
0下载287浏览306K
0下载339浏览1937K
0下载151浏览237K
0下载208浏览372K
0下载417浏览335K
0下载307浏览1103K
0下载352浏览533K
0下载322浏览935K
0下载251浏览291K