具有含混合稀土元素之闸极介电层的半导体装置

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本发明提供一种半导体装置，例如一电晶体或电容。该装置包含：一基板；一闸极介电层，位於该基板之上；及，一导电性闸电极薄膜，位於该闸极介电层之上。该闸极介电层，包含一混合稀土氧化物薄膜、混合稀土氮化物薄膜或混合稀土氧氮化物薄膜，此薄膜具有至少2种不同的的稀土金属元素。