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本发明为一种氮化物单晶之制造方法,其系包含藉由在氮化物结晶(11)周围形成含有稀土族元素化合物之物质输送媒体层(12),使种晶(13)接触该物质输送媒体层(12),以在该种晶(13)上成长氮化物单晶(14)之工序。再者,本发明为一种氮化物单晶之制造方法,作为物质输送媒体层(12)者含有由铝化合物、硷土族化合物、及过渡金属化合物所组成之群族中选出之1种以上之化合物与稀土元素之化合物。藉由此制造方法,可得到晶径为10 mm以上之大的氮化物单晶。
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