半导体制造装置用部件

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抑制稀土氢氧化物的飞散、第1陶瓷构件与第2陶瓷构件的接合强度的降低。半导体制造装置用部件具备：第1陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；第2陶瓷构件，其由以AlN为主成分的材料形成；和，接合层，其配置于前述第1陶瓷构件与前述第2陶瓷构件之间、且用于接合前述第1陶瓷构件和前述第2陶瓷构件，前述接合层包含化学式ABO3(其中，A为稀土元素，B为Al)所示的钙钛矿型氧化物，且不含仅具有稀土元素和氧的稀土单一氧化物。