R-Fe-B系薄膜磁铁及其制造方法

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本发明提供了一种R-Fe-B系薄膜磁铁，在物理成膜的含有28-45质量％的R元素(其中，R是镧系稀土元素中的1种或2种以上)的R-Fe-B系合金中，具有晶粒直径0.5-30μm的R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组织。该薄膜磁铁的磁化性提高。在物理成膜过程中和/或随后的热处理中，通过加热至700-1200℃，进行晶粒生长和形成富集R元素的晶界相，由此，可以制造上述R-Fe-B系薄膜磁铁。