使用非晶亚铁磁性合金、由自旋极化电流写入的磁存储器，及其写入方法

文件类型：PDF文档
文件大小：1074K
本发明涉及一种磁存储器，其中每个存储器点由磁隧道结(60) 构成，该磁隧道结包括：称为受限制层(61)的磁性层，具有硬磁化； 称为自由层(63)的磁性层，其磁化可以被翻转；以及设置在自由层 (73)和受限制层(71)之间并且与所述两层分别接触的绝缘层(62)。 自由层(63)由基于稀土或过渡金属的非晶或纳米晶合金制成，所述 合金的磁有序是亚铁磁类型，所述自由层基本为平面磁化。