半导体装置及半导体装置的制作方法

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课题为提供在各式各样的基材上黏贴被剥离层，被予以轻量化的半导体装置以及其制作方法。; 本发明系，在基板上形成被剥离层，再使用接着材料将设有蚀刻停止膜的封装基板，黏合至此被剥离层上，之後，再用蚀刻或是研磨仅将封装基板给除去。留下来的蚀刻停止膜，则直接令其发挥阻隔膜的功能。又，也可黏贴磁贴作为黏贴的构件。 [创作特点] 本发明系将上述问题点引以为监，本发明的课题则是，提供不会对被剥离层造成损伤的剥离方法，不仅可以剥离小面积的剥离层，更可全面地剥离大面积的被剥离层。; 又，本发明的课题系，提供在各种基质上贴上被剥离层，而被轻量化的半导体装置与其制作方法。特别是提供在易曲性的薄膜上黏贴以TFT为代表的各种元件(薄膜二极体、由矽的PIN接合构成的光电变换元件与矽电阻元件)，而被轻量化的半导体装置与其制作方法。; 本发明系，在第1基板上形成被剥离层，使用接着材料将设有蚀刻停止膜的第2基板(封装基板)与此剥离层相黏合，之後，只将第2基板(封装基板)利用蚀刻或研磨的方式给除去。也可利用在使用机械研磨打薄基板後，再进行蚀刻的方式缩短时间。理想的形式是，令残余的蚀刻停止膜直接发挥当作阻隔膜的功能。或是，在使用蚀刻或研磨的方式除去第1与第2基板(至少要除去其中之一)後，利用接着材料将被剥离层黏到构件上。; 以接着材料而言，可举出反应硬化型、热硬化型、光硬化型、厌气型等种类的材料。以这些接着材料的组成而言，好比环氧类、丙烧酸脂类、矽类等任何一种皆可。理想的接着材料则是，在对基板进行蚀刻时选择比可以取得平衡。; 又，本发明系，贴上了磁贴当作黏贴构件。磁贴系为薄片状且具有易曲性，由於其可自由黏脱地磁着於白板、钢板等磁质表面上，故可创造出用於事务用之类的表示物、汽车用的初学者标志等等广泛的利用方法，只要是钢板之类的磁质表面不论何处都可使其磁化。; 磁贴系，好比在亚铁酸钡(barium ferrite)、亚铁酸锶(strontium ferrite)或是稀土族磁石等的粉末中，加入塑胶之类的有机高分子化合物及黏接剂并相互混合後，而成形为薄片状的样子。此外，肥粒铁磁铁以及塑胶等混合比率系，相对肥粒铁磁铁的粉体占80~90%的重量而言，其他的重量则占10~20%即可。磁贴则是用接着材料与被剥离层接着在一起，此外，可藉由磁贴的磁力将形成於被剥离层上的金属配线给拉近，被剥离层与磁贴的密着性亦更为提高了。又，若赋予磁贴热传导性的话，亦可助长元件的热散逸，可靠性亦会提升。; 又，在第1基板与被剥离层之间设置金属膜与氧化物的积层，只将第2基板(封装基板)利用蚀刻给除去，或是利用物理的手段将基板剥离亦可。换言之，就是用不同於分离其中一个基板的方法来剥离另一个基板。; 又，亦可藉由贴上设有蚀刻停止膜的基板，重复用蚀刻只除去基板的工程後，令蚀刻停止膜(阻隔膜)与接着材料积层起来。; 根据本发明则可制作出，在具有可弯曲性与易曲性或弹性的磁贴上形成着有机发光元件的发光装置，或是液晶显示装置，加上薄型、轻量、不易碎等特徵，亦可用於具曲面的显示器或者展示橱窗等分野上。因此，其用途不仅只限定於携带机器，应用范围非常的广泛。; 在本说明书中所表示的发明构成系，一种半导体装置，其特徵为，由强磁性材料构成的薄片作为支撑体，元件设置在，跟由前述强磁性材料构成的薄片相接的接着材料，以及与该接着材料相接的绝缘膜上。; 在上述构成中，其特徵为，前述元件系由薄膜电晶体、具有包含有机化合物层的发光元件、具有液晶的元件、记忆元件、薄膜二极体、矽的PIN接合构成的光电变换元件，或是矽电阻元件。; 又，在上述各构成当中，由前述强磁性材料构成的薄片系，混合软质磁性粉体与合成树脂後所形成，并予以磁化的东西。; 又，关於为了实现上述构成之制作方法的构成系，一种半导体装置的制作方法，其特徵为，具有在第1基板上形成包含半导体元件之被剥离层的第1工程，以及利用接着材料将设有蚀刻停止层的第2基板黏到前述被剥离层的第2工程，与利用蚀刻或研磨的方式只除去第2基板的第3工程。; 又，与本发明其他制作方法相关的构成系，一种半导体装置的制作方法，其特徵为，具有在第1基板上形成第1蚀刻停止层的第1工程，以及在前述第1蚀刻停止层上形成包含半导体元件的被剥离层之第2工程，与利用接着材料将设有第2蚀刻停止层的第2基板黏到前述被剥离层上的第3工程，以及利用蚀刻或研磨至少除去第1基板或第2基板的第4工程。; 又，在上述构成中，其特徵为，前述蚀刻停止层系具有SrO、SnO2、铁氟龙(注册商标)之类的氟树脂，或W的单层，或这些化合物的积层。; 分离基板与被剥离层时，如果被剥离层产生了裂缝，则包含在被剥离层中的TFT就有可能受到破坏。要分离基板与被剥离层时，理想的做法是利用被剥离层可弯曲的性质使其不受损伤，使用蚀刻来溶解的方式是几乎不会对被剥离层造成损伤的方法。; 又，可形成包含作为被剥离层的CPU之类的大规模积体电路(LSI)层，关於本发明的其他构成系，一种半导体装置，其特徵为，以接着材料作为支撑体，前述接着材料上具有保护膜，以及位於与前述接着材料相接的绝缘膜上由控制部与演算部构成之中央处理器，还有记忆单元，前述中央处理器系包含N通道型之薄膜电晶体，以及P通道型之薄膜电晶体。; 又，於上述构成中，半导体装置也可以是，具备在前述接着材料上黏贴由强磁性材料构成的薄片，将由接着材料与强磁性材料构成的薄片作为支撑体的中央处理器。; 又，关於本发明其他制作方法的构成系，一种半导体装置的制作方法，其特徵为，具有在第1基板上形成包含半导体元件的被剥离层之第1工程，以及在前述被剥离层上涂抹可溶於溶媒包含有机树脂的膜之第2工程，以及用第1双面胶带将第2基板接着到前述有机树脂膜上，再用前述第1基板与前述第2基板包夹含有前述被剥离层与有机树脂的膜之第3工程，以及用第2双面胶带将第3基板与前述第1基板相接着之第4工程，以及用物理手段分离接着了前述第3基板的前述第1基板与前述被剥离层之第5工程，以及用第1接着材料将由强磁性材料构成的薄片接着至前述被剥离层上，再用前述第2基板与由前述强磁性材料构成的薄片来夹住前述被剥离层之第6工程，以及将前述被剥离层及第1双面胶带跟前述第2基板分离开来之第7工程，以及分离前述被剥离层与前述第1双面胶带之第8工程，以及用溶媒除去包含前述有机树脂的膜之第9工程。; 又，关於本发明其他制作方法的构成系，一种半导体装置的制作方法，其特徵为，具有在第1基板上形成包含半导体元件的被剥离层之第1工程，以及在前述被剥离层上涂抹可溶於溶媒包含有机树脂的膜之第2工程，以及用第1双面胶带将第2基板接着到前述有机树脂膜上，再用前述第1基板与前述第2基板包夹含有前述被剥离层与有机树脂的膜之第3工程，以及用第2双面胶带将第3基板与前述第1基板相接着之第4工程，以及用物理手段分离接着了前述第3基板的前述第1基板与前述被剥离层之第5工程，以及用第1接着材料将由强磁性材料构成的薄片接着至前述被剥离层上，再用前述第2基板与由前述强磁性材料构成的薄片来夹住前述被剥离层之第6工程，以及将前述被剥离层及第1双面胶带跟前述第2基板分离开来之第7工程，以及分离前述被剥离层与前述第1双面胶带之第8工程，以及用溶媒除去包含前述有机树脂的膜之第9工程，以及用第2接着裁量将封装基板接着至前述被剥离层，再用由前述强磁性材料构成的薄片与前述封装基板夹住前述被剥离层的第10工程。; 又，在形成发光元件後，最好是避免因为热或电浆蚀刻之类的处理而对其在成损伤。但是，要形成具有高度障壁特性的钝化膜时，亦有可能造成热或溅镀蚀刻损伤或电浆蚀刻损伤。; 另一方面，本发明系，在基板上形成具有高度障壁特性的钝化膜，并将此钝化膜贴至有机发光元件上，之後再将基板溶化，因此，可不受制作程序的限制在发光元件上形成钝化膜。; 又，关於本发明其他制作方法的构成系，一种半导体装置的制作方法，其特徵为，具有在第1基板上形成包含 TFT的被剥离层之第1工程，以及在前述被剥离层上涂抹可溶於溶媒包含有机树脂的膜之第2工程，以及用第1双面胶带将第2基板接着到前述有机树脂膜上，再用前述第1基板与前述第2基板包夹含有前述被剥离层与有机树脂的膜之第3工程，以及用第2双面胶带将第3基板与前述第1基板相接着之第4工程，以及用物理手段分离接着了前述第3基板的前述第1基板与前述被剥离层之第5工程，以及用第1接着材料将由强磁性材料构成的薄片接着至前述被剥离层上，再用前述第2基板与由前述强磁性材料构成的薄片来夹住前述被剥离层之第6工程，以及将前述被剥离层及第1双面胶带跟前述第2基板分离开来之第7工程，以及分离前述被剥离层与前述第1双面胶带之第8工程，以及用溶媒除去包含前述有机树脂的膜之第9工程，以及用第2接着裁量将封装基板接着至前述被剥离层，再用由前述强磁性材料构成的薄片与前述封装基板夹住前述被剥离层的第10工程，以及用第2接着材料黏贴由封装前述发光元件的强磁性材料构成的薄片，并用前述第4基板与由前述强磁性材料构成的薄片来夹住前述被剥离层之第11工程。; 又，在关於上述各制作方法的构成中，其特徵为，前述溶媒系水或酒精。; 又，在关於上述各制作方法的构成中，其特徵为，比起在前述第7工程中之前述第1双面胶布与前述第2基板间的附着性而言，前述被剥离层与由前述强磁性材料构成的薄片或第4基板间则有较高的附着性。; 又，在关於上述各制作方法的构成中，其特徵为，前述第1基板为玻璃基板，前述第2基板与第3基板则是陶瓷基板，前述第4基板为塑胶基板。; 又，在关於上述各制作方法的构成中，其特徵为，前述第4基板与前述第5基板系，表面有保护膜形成着的塑胶膜。; 又，在关於上述各制作方法的构成中，其特徵为，前述被剥离层系含有由薄膜电晶体、包含有机化合物之层的发光元件、具有液晶的元件、记忆元件、薄膜二极体、矽之PIN接合构成的光电变换元件或矽电阻元件。; 本发明的剥离方法系，可进行在元件形成时温度不超过第1基板耐热温度的热处理。又，就算在元件形成时以雷射光来照射，亦可毫无问题的进行尔後工程时之剥离处理。因此，可在第1基板上形成高电气特性较高的元件，并可将这些元件转移至塑胶基板与磁贴上。; 又，在本说明书中，将设置於阴极与阳极间所有的层总称为EL层。因此，上述所说的正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层全都包含在EL层中。; 此外，在本说明书中EL元件所指的系，由EL材料以及用两个电极(阳极与阴极)夹住为了在此EL材料中注入触媒载体之含有有机材料或无机材料的层(以下称为EL层)之构造构成的发光元件，以及由阴极、阳极与EL层构成的二极体。;