外延膜、压电元件、铁电元件、它们的制造方法以及液体排出头

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本发明公开了外延膜，其包括：加热Si衬底，在该衬底的表面上 设置有具有1.0nm～10nm膜厚的SiO2层；和通过使用由以下组成式(1) 表示的金属靶在该SiO2层上形成由以下组成式(2)表示的外延膜： yA(1-y)B (1)， 其中A为选自由包括Y和Sc的稀土元素组成的组的一种或多种元 素，B为Zr，且y为0.03～0.20的数值， xA2O3-(1-x)BO2 (2)， 其中A和B为分别与组成式(1)的A和B相同的元素，且x为 0.010～0.035的数值。