半导体装置及其制造方法

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本发明提供一种半导体装置及其制造方法，该制造方法包括下列步骤： 形成至少一介电层于半导体基板上，其中位于顶部的介电层为含硅的介电 层；形成至少一稀土元素氧化层于该含硅的介电层上；形成至少一金属电极 层于该稀土元素氧化层上；以及于形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上 后，进行退火工艺，以在该含硅的介电层及该稀土元素氧化层之间至少部分 区域形成稀土硅酸盐层，其中在形成该金属电极层于该稀土元素氧化层上之 前，并没进行退火工艺。本发明在等效栅极氧化层厚度变薄及有效功函数偏 移方面的结果可得到优异的成效。