非易失性半导体存储器件及其制造方法

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本发明涉及一种非易失性半导体存储器件中的存储单元，其包括 隧穿绝缘膜、由包含Si的导电材料制成的浮动栅电极、由稀土氧化物、 稀土氮化物或稀土氧氮化物制成的电极间绝缘膜、控制栅电极、以及 在浮动栅电极和电极间绝缘膜之间形成的金属硅化膜。