用于金属氧化物层或膜沉积的前体

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用于MOCVD技术的稀土金属前体具有通式OCR1(R2)CH2X的配体， 其中R1是H或烷基，R2是任选被取代的烷基，X选自OR和NR2，其中 R是烷基或被取代的烷基。还描述了生产这种前体的方法以及从这种 前体沉积金属氧化层的方法。