一种制备稀磁半导体薄膜的方法

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本发明公开了一种制备稀磁半导体薄膜的方法，该方法包括：选 择一III族氮化物半导体薄膜材料；在该半导体薄膜材料表面采用双能 态离子注入法注入稀土金属离子；将注入稀土金属离子后的样品送入 快速退火炉在氮气氛中退火。利用本发明，获得了具有较好的磁学性 能和半导体性能的稀磁半导体薄膜。