单晶硅片表面氨基硅烷－稀土纳米薄膜的制备方法

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本发明涉及一种单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法，首先将表面经过纳米氧化铈抛光的单晶硅片浸泡在王水中，在120℃下加热5～6个小时，再用去离子水反复冲洗并干燥。将处理后的单晶硅片浸入配制好的氨基硅烷溶液中，静置12小时，取出后分别用无水甲醇、去离子水冲洗，用氮气吹干后再置于由乙醇65～80％，稀土化合物3.5～7％，乙二胺四乙酸1～4％，氯化铵2～5％，尿素10～25％，37％的浓盐酸0.5～1.5％配制的稀土自组装溶液中，获得氨基硅烷-稀土纳米薄膜。本发明工艺简单，成本低，对环境无污染，制得的稀土纳米薄膜分布均匀，成膜致密，具有明显的减摩作用和良好的抗磨损和抗粘着性能。