用于减少衬底处理室中的杂散光的设备和方法

文件类型：PDF文档
文件大小：1245K
公开了一种用于在热处理室中加热半导体晶片的方法和设备。该设备包括非接触测温系统，该非接触测温系统利用诸如高温计的辐射探测装置在处理期间判决晶片的温度。该辐射探测装置通过监视晶片在特定波长处发射的辐射量判决晶片的温度。根据本发明，该设备中包括光谱过滤器，用于过滤灯在辐射探测装置的工作波长处发射的光，该灯用于加热晶片。该光谱过滤器包括光吸收剂，例如稀土元素、稀土元素的氧化物、光吸收染料、金属或半导体材料。