无疏水烃链稀土化合物薄膜的制备方法

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本发明公开了一种无疏水烃链稀土化合物薄膜的制备方法，由下述步骤组成：(1)合成EuL3Phen(L＝乙酰丙酮；三氟乙酰丙酮；六氟乙酰丙酮；噻吩甲酰三氟丙酮；Phen＝1，10-邻菲咯啉)；(2)向水中加入EuL3Phen、L、Phen(L＝acac，TFA，HFA，TTA)至饱和，通过一种直链饱和脂肪酸的辅助作用，以LB技术进行稀土化合物在气液二维表面上超薄膜的制备与向固体基底的转移；得到特征荧光发射峰位于610.0-613.0nm的稀土铕(Ⅲ)化合物超薄膜。本发明方法制备的无疏水烃链稀土化合物薄膜自然条件下放置26周后荧光信号仍可检测到，为制备非典型双亲性稀土铕(Ⅲ)化合物LB膜提供了一条重要途径。