非易失性半导体存储装置以及制造该存储装置的方法

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一种非易失性半导体存储装置，包括：隧道绝缘膜；浮动栅电极；电极间绝缘膜，其中，分别将面向浮动栅电极的界面定义为第一界面和将面向控制栅电极的界面定义为第二界面；以及控制栅电极。电极间绝缘膜包括一个或多个从稀土元素中选择的第一元素，一个或多个从Al、Ti、Zr、Hf、Ta、Mg、Ca、Sr和Ba中选择的第二元素，以及氧。被定义为第一元素的原子数量除以第二元素的原子数量的第一元素的组成比率在第一界面与第二界面之间改变，并且，所述组成比率在第一界面附近的值低于在第二界面附近的值。