TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez, Au0.1光存储发光材料及其制备方法

文件类型：PDF文档
文件大小：294K
本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez，Au0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。