介电质陶瓷及积层陶瓷电容

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本发明实现一种介电质陶瓷以及使用该介电质陶瓷之积层陶瓷电容器, 该介电质陶瓷之AC电压特性良好, 可维持所需之较大介电常数及良好之温度特性, 介电损失亦较小, 且可确保可靠性。本发明之介电质陶瓷由通式 : 100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R为Dy、La等特定之稀土类元素, M为Mn、Mg等特定之金属元素, n、v及w为根据元素R、M以及烧结助剂成分X之价数所唯一定出之正数)表示, 主相粒子中上述副成分之固溶区域之剖面积比平均为10%以下(包含0%), 烧结助剂成分X至少含有Si。m、a、b、c为0.995≦m≦1.030、0.1≦a≦2.0、0.1≦b≦3.0、0.1≦c≦5.0。积层陶瓷电容器之介电质层1a~1g系藉由上述介电质陶瓷所形成。