先进高k闸极堆叠图案化及含图案化高k闸极堆叠的结构

文件类型：PDF文档
文件大小：1466K
本发明提供一种图案化一闸极堆叠的先进方法, 此闸极堆叠包含由高k闸极介电帽盖层所帽盖之高k闸极介电质, 高k闸极介电帽盖层为如含稀土金属(或类稀土)材料层。具体来说, 本发明提供结合湿及乾蚀刻用在图案化此类闸极堆叠的方法, 其实质上降低留在半导体基材之表面上的残留高k闸极介电帽盖材料之含量至小於10^10 atoms/cm^2, 较佳小於约10^9 atoms/cm^2的値。