用于半导体工业的氢化物气体纯化方法

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本发明公开了一种纯化(purification)氢化物气体 的方法，其使用至少具有一种镧系金属或镧系金属氧化物的材 料。该方法使污染物降低至100ppb，优选10ppb，更优选1ppb。 所述材料还包括过渡金属和过渡金属氧化物、稀土元素和其它 金属氧化物。本发明还包括在本发明方法中使用的材料。