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本发明属于光通信技术中有源光放大器件领域, 具体涉及到一种利用激光退火对掺铒/铒镱共掺氧化铝薄膜进 行晶化的方法。其特征是利用低功率 CO2激光器对等离子体溅射方法 制备掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜进行照射,退火效果通过调节 激光器工作功率和样品台位置与照射时间控制。本发明的效果 和益处是利用CO2激光束照射 在掺铒/铒、镱共掺氧化铝薄膜,在很短的时间内在薄膜表面产 生高温,提高氧化铝材料的晶化程度,从而可以大幅度地提高 氧化铝中铒的荧光谱强度。
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