溶胶－凝胶法制备氮化镓纳米多晶薄膜的方法

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本发明属于光电子材料技术领域，是一种用溶胶-凝胶法制氮化镓纳米薄膜的方法。本发明利用第三主族元素的两性现象，用强碱，像NaOH，或KOH等，把GaO溶解。再利用酸，像HNO3，HF等，重新沉积出Ga(OH)3凝胶，然后加入NH4F形成了GaN材料的前驱体。将稀土或过渡金属离子掺入前驱体(NH4)3GaF6中。为利用甩胶技术或印刷方法制膜，再加入一些高分子增稠剂，如聚乙二醇400、聚氧乙烯等，以保证前驱体溶液的粘度。最后把形成的GaN材料的前驱体在烘箱中烘干后，在NH3气氛下，900℃就能够获得纳米级的GaN。本发明与分子束外延和有机分子气相外延制备GaN晶体和薄膜材料相比，具有工艺过程简单、制备成本低等优点。