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一种存储器件10具有如下的结构,其中,存储 器薄膜4夹在第一和第二电极2和6之间,该存储器薄膜4至 少包含稀土元素,该存储器薄膜4或与该存储器薄膜接触的层 3包含从Cu、Ag、Zn中选出的任一种元素,而且该存储器薄 膜4或与该存储器薄膜接触的层3包含从Te、S、Se中选出的 任一种元素。该存储器件能方便稳定地记录并读出信息,并且 该存储器件能由相对简单的制造方法方便地制造。
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