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本发明公开了中低温烧结的温度稳定型多层陶 瓷电容器陶瓷材料。该材料的主要成分为钛酸钡,添加剂有氧 化钴和氧化铌、或它们的化合物,氧化钇和稀土氧化物,金属 银,氧化锌和氧化硼、或它们的化合物等。所用基料钛酸钡粉 体粒径在100nm至500nm之间,烧成的陶瓷材料具有细晶结 构,晶粒尺寸在100nm至600nm之间。利用本发明的材料组 成和工艺可以获得性能优良、中低温烧结的X7R型多层陶瓷 电容器材料。材料的室温介电常数可以控制在1800和5600之 间,容温变化率≤±15%,烧结温度范围从900℃到1150℃。 当烧结温度最低达到900℃时,使用纯银作为内电极,可以大 幅度降低多层陶瓷电容器的成本。