半导体元件及其制作方法

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本发明系揭示一种半导体元件及其制作方法。其利用一高温超导(High Temperature Surperconductor, HTS)层与一典型的扩散层组合，其中该扩散层於介电材料与铜(或其他金属)导线之间。该高温超导体层材料包括钡铜氧以及一稀土元素，而该稀土元素以钇(yttrium)特别合适。如欲在导线上方形成其他半导体电路或元件，可於沉积一介电覆盖层前，沉积一高温超导材料覆盖层於导线上。本发明亦揭示将高温超导体填充於极微小之孔隙或沟槽内以形成连线。